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本例演示在存在基板的情况下如何计算远场辐射。其中演示了两种方法:一种是简化形式,适用于两个均匀域;另一种是更为通用的方法,能够处理多个不均匀的层。 本例扩展了内置的需要均匀仿真环境的“远场域”特征的功能。 扩展阅读
本教学案例演示如何求解等离子体和半导体等色散介质中的全瞬态波动方程。二维 TM 面内波模型根据波动方程求解矢势,并根据常微分方程求解辅助电极化密度。 几何结构由一块具有亚波长狭缝的色散板组成,其中应用周期性边界条件 ... 扩展阅读
如果无源器件的工作频率和集总元件的插入损耗都较低,则可以使用集总元件特征来设计无源器件。本例模拟两种类型的集总元件滤波器,这两种滤波器与集总端口相似,不同之处在于它们是严格无源的,并且具有预定义的电感和电容选项。 ... 扩展阅读
本例模拟在其中一个壁面上有小障碍物的直通道中的三维超音速流,包括激波的影响。 当流动冲击障碍物时,激波从障碍物和通道壁发生衍射,传播的激波在速度分布和密度分布上形成一种波型。 此模型采用 COMSOL ... 扩展阅读
流经含水层或储层中孔隙空间的流体可以保护多孔介质免受应力的作用,因为这些流体承受上覆的岩石、沉积物、流体和建筑物等的部分负载。从孔隙空间抽出流体会增加固体所承受的应力,有时会达到储层发生明显压缩的程度 ... 扩展阅读
霍尔效应传感器是一种具有各向异性电导率的半导体材料,半导体的电导率随磁场发生变化。在本例中,一个安装在轮子上的磁铁在传感器附近旋转,其中模拟传感器中电位的变化情况。 扩展阅读
本例使用“硬化土壤”材料模型来模拟三轴试验。其中包含两个主要阶段:初始各向同性压缩和随后的轴向压缩/拉伸荷载。本例重新获得了双曲线应力-应变关系,此外,还验证了轴向应力的渐近值等于失效应力的解析值。 扩展阅读
本模型演示如何基于一般的漂移-扩散模型来模拟电解质栅极有机场效应晶体管,其中使用“稳定对流-扩散方程”和“静电”接口,并显示晶体管特性的可视化效果。所模拟器件中 EDL 的形成过程展示了 EGOFET 的关键特性。 扩展阅读
