“案例下载”页面提供丰富的 COMSOL Multiphysics® 教学案例和 App 演示文件，涉及电气、结构、声学、流体、传热和化工等各个学科领域。欢迎下载这些教学案例或 App 演示文件及其随附的操作说明，将其作为您建模仿真工作的绝佳起点。
您可以使用左侧的【快速搜索】工具查找与您的专业领域相关的案例模型和仿真 App。请注意，此处提供的许多案例也可以通过 COMSOL Multiphysics® 软件内置的“案例库”进行访问，该选项位于软件的文件 菜单中。
中文 带有此标签的案例包含中文 PDF 文档。
本例演示用于模拟Asahi 等人在参考文献中所述的阱内量子点太阳能电池的近似方法。量子阱和量子点层均被视为带隙中的集总能级，作者指定了点/阱能级与能带之间的跃迁，而电流密度的连续部分则不受阱和点的影响。这一描述等同于 ... 扩展阅读
金属-氧化物-硅 (MOS) 结构是许多硅平面器件的基本构建块，其电容测量法可以帮助用户深入了解此类器件的工作原理。本教学案例构建了一个简单的 MOS 电容器 (MOSCAP) 一维模型，计算低频和高频 C-V 曲线。 扩展阅读
此基准模型计算未发生应变和发生应变的块状 GaN 纤锌矿晶体的价带结构，为想要使用“薛定谔方程”接口建立多个波函数分量的用户提供教学案例。该模型遵循 Chuang 和 Chang 在参考资料中给出的公式 ... 扩展阅读
本模型展示了如何计算 MOSFET 的交流特性，根据漏极电流计算了器件的输出电导和跨导。 扩展阅读
本教学案例将文献中的实验数据与包含界面陷阱（表面状态）的 MOSCAP COMSOL 模型求解结果进行比较，其中使用“陷阱辅助表面复合”特征模拟陷阱电荷的影响以及陷阱捕获和发射载流子的过程 ... 扩展阅读
本例中的纳米线 MOSFET 三维模型使用密度梯度理论在传统的漂移-扩散公式中引入量子限域效应，而不需要过高的计算成本。其中使用几何域对氧化层进行显式模拟，并通过专用的边界条件来分析氧化硅界面的量子限域 ... 扩展阅读
在这个由两部分组成的示例的后半部分，我们通过扩展前半部分的二维模型来构建沟槽栅 IGBT 三维模型。与二维模型不同的是，现在可以像在真实设备中一样，沿拉伸方向交替排列 n+ 和 p+ 发射极 ... 扩展阅读
此模型计算浮栅“电可擦除可编程只读存储器”(EEPROM) 器件的电流和电荷特性。稳态研究针对两种不同电荷存储量计算电流-电压曲线随控制栅压的变化，从而演示改变存储在浮栅上的电荷的效果 ... 扩展阅读
本教学案例大致基于 B. J. Baliga 编写的 "Fundamentals of Power Semiconductor Devices" 一书（2008 年版，第 256 页），模拟了带电感负载的简单 PIN ... 扩展阅读
本教学案例分别对 PIN 二极管对恒定辐射和脉冲辐射的响应进行稳态和瞬态分析。辐射效应被模拟为器件内电子-空穴对在空间上的均匀生成。在高剂量率下，所产生电荷的分离导致内部电场的降阶和过剩载流子的长期储存 ... 扩展阅读