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随着外加场平行分量的增大，载流子可以获得高于环境热能的能量，并且能够通过光学声子发射将场获得的能量传递到晶格。光学声子发射产生的效应导致载流子迁移率饱和。Caughey Thomas ... 扩展阅读
“基于射线光学模拟硅太阳能电池”App 结合了“射线光学模块”和“半导体模块”，阐明硅太阳能电池在特定日期和位置的工作情况。“射线光学模块”计算用户选定的日期和位置的平均照度，“半导体模块 ... 扩展阅读
此模型计算浮栅“电可擦除可编程只读存储器”(EEPROM) 器件的电流和电荷特性。稳态研究针对两种不同电荷存储量计算电流-电压曲线随控制栅压的变化，从而演示改变存储在浮栅上的电荷的效果 ... 扩展阅读
离子敏场效应晶体管 (ISFET) 是用适当的电解质取代 MOSFET 的栅极触点构建的。电解质中特定离子种类的浓度可以通过测量由离子与栅极电介质之间的相互作用引起的栅压变化来确定。 此 ISFET pH ... 扩展阅读
“超晶格带隙工具”模型有助于设计由两种交替半导体材料（超晶格）构成的周期性结构。此模型采用有效质量薛定谔方程来估计给定超晶格结构中的电子和空穴基态能级。器件工程技术人员可以使用此模型快速计算给定周期结构的有效带隙 ... 扩展阅读
本模型演示如何模拟碳化硅二极管中由碰撞电离引起的雪崩击穿，呈现了器件的电流-电压 (I-V) 特性及电场分布图。此外，还计算了载流子产生项，以展示击穿电流的路径。 扩展阅读
这个基准模型模拟三种不同构型的异质结在正向和反向偏压下的特性，显示了使用连续准费米能级公式与热电子发射公式计算异质结中的电荷转移的差异；通过模拟每种构型的能级并进行比较，阐明了电荷转移的起源，即 ... 扩展阅读
本模型模拟 GaN 基发光二极管器件，计算了发射强度、光谱和效率随驱动电流变化的情况，模拟了带隙的直接辐射复合，以及非辐射俄歇复合和陷阱辅助复合过程。仿真结果表明，发射强度随着电流的增加而呈次线性增加，这是 LED ... 扩展阅读
本教程分析 InAs 纳米线 FET 的电导-栅极-电压 (G-Vg) 曲线的滞回现象，使用密度梯度理论将量子限域效应添加到传统的漂移-扩散公式中，不会大幅增加计算成本。这种滞后现象是由连续能量分布 ... 扩展阅读
表面声学声子和表面粗糙度对载流子迁移率具有重要影响，尤其是在 MOSFET 栅极下的薄反转层中。Lombardi 表面迁移率模型使用 Matthiessen 定则将这些影响产生的表面散射添加到现有的迁移率模型。 ... 扩展阅读
