“案例下载”页面提供丰富的 COMSOL Multiphysics® 教学案例和 App 演示文件，涉及电气、结构、声学、流体、传热和化工等各个学科领域。欢迎下载这些教学案例或 App 演示文件及其随附的操作说明，将其作为您建模仿真工作的绝佳起点。
您可以使用左侧的【快速搜索】工具查找与您的专业领域相关的案例模型和仿真 App。请注意，此处提供的许多案例也可以通过 COMSOL Multiphysics® 软件内置的“案例库”进行访问，该选项位于软件的文件 菜单中。
中文 带有此标签的案例包含中文 PDF 文档。
本模型展示了如何计算 MOSFET 的交流特性，根据漏极电流计算了器件的输出电导和跨导。 扩展阅读
环栅 MOSFET 由纳米线组成，纳米线周围缠绕着栅电极。由于整个纳米线形成沟道，因此这一构型可以实现对沟道的最佳静电控制，并为 MOSFET 的小型化提供了非常好的备选方案。 ... 扩展阅读
在这个由两部分组成的示例的前半部分，我们构建一个沟槽栅 IGBT 二维模型，然后在后半部分将其扩展成三维模型。通常，最有效的方法是从二维模型开始，以确保一切按预期工作，然后再将其扩展到三维。本例将 Caughey ... 扩展阅读
金属-氧化物-硅 (MOS) 结构是许多硅平面器件的基本构建块，其电容测量法可以帮助用户深入了解此类器件的工作原理。本教学案例构建了一个简单的 MOS 电容器 (MOSCAP) 一维模型 ... 扩展阅读
本教学案例基于 B. J. Baliga 编写的 "Fundamentals of Power Semiconductor Devices" 一书（2008 年版，第 242 页），模拟一个简单 PIN ... 扩展阅读
本例演示如何在三维空间中对 FinFET 进行建模仿真，以获取其电流-电压 (I-V) 特性。首先，通过扫描栅极电压，绘制出漏极电流与栅极电压的关系曲线。随后，在固定栅极电压条件下，进一步计算漏极电流随漏极电压变化的特性。 扩展阅读
本例演示用于模拟Asahi 等人在参考文献中所述的阱内量子点太阳能电池的近似方法。量子阱和量子点层均被视为带隙中的集总能级，作者指定了点/阱能级与能带之间的跃迁，而电流密度的连续部分则不受阱和点的影响。这一描述等同于 ... 扩展阅读
在二极管或晶体管中，当 p-n 结处于反向偏置状态（即 p 侧连接到比 n 侧更低的电位）时，理想情况下不应有电流通过。然而，由于少数载流子（p 侧的电子和 n 侧的空穴）的存在，实际中会产生微小电流 ... 扩展阅读
本例在“MOS 晶体管 (MOSFET) 的直流特性”模型基础上进行了优化升级，采用显式建模方法对金属和介电域进行精确描述，摒弃了传统的边界条件简化方式。通过这一改进，可以清晰观察到金属和绝缘体内部的电位分布。 扩展阅读
本教学案例使用“半导体模块”中的“薛定谔方程”物理场接口求解谐波势阱中玻色-爱因斯坦凝聚基态的 Gross-Pitaevskii 方程，此方程本质上是非线性单粒子薛定谔方程，其势能贡献与局部粒子密度成正比 ... 扩展阅读
