U 型结构表面 Al2O3 原子层沉积 (ALD) 仿真
Application ID: 139921
本模型模拟了在 U 型结构表面沉积氧化铝薄膜的 ALD 沉积过程。该工艺采用三甲基铝 (TMA) 和水 (H2O) 作为气态前体，氮气作为吹扫气体。气态反应物依次被引入反应腔室，并在U型结构表面经历一系列吸附和化学反应。其中，吸附过程受到活性位点的自我限制。
该模型耦合仿真了 ALD 腔室内的流体流动、质量传递以及 U 型结构表面的化学反应。仿真结果可帮助用户更好地理解 ALD 沉积过程，并优化工艺参数。
案例中展示的此类问题通常可通过以下产品建模:
您可能需要以下相关模块才能创建并运行这个模型，包括：
建模所需的 COMSOL® 产品组合取决于多种因素，包括边界条件、材料属性、物理场接口及零件库，等等。不同模块可能具有相同的特定功能，详情可以查阅技术规格表，推荐您通过免费的试用许可证来确定满足您的建模需求的正确产品组合。如有任何疑问，欢迎咨询 COMSOL 销售和技术支持团队，我们会为您提供满意的答复。