采用 TSSG 方法制备 SiC 晶片
Application ID: 148101
顶部籽晶溶液生长法 (TSSG) 是一种用于生长碳化硅单晶的工艺技术，具有生长温度较低、晶体质量高的优势。
本模型介绍了 TSSG 工艺的仿真方法，通过模拟获得了炉体的温度分布及籽晶表面的生长速率，为优化晶体生长均匀性提供了有效的数值分析方法。
案例中展示的此类问题通常可通过以下产品建模:
您可能需要以下相关模块才能创建并运行这个模型，包括：
建模所需的 COMSOL® 产品组合取决于多种因素，包括边界条件、材料属性、物理场接口及零件库，等等。不同模块可能具有相同的特定功能，详情可以查阅技术规格表，推荐您通过免费的试用许可证来确定满足您的建模需求的正确产品组合。如有任何疑问，欢迎咨询 COMSOL 销售和技术支持团队，我们会为您提供满意的答复。