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本例演示如何使用散射场 公式来计算介质半空间上单个散射体的光散射,其中使用菲涅尔解析方程来设计背景场。 关于此模型的详细介绍,请阅读以下博客文章:模拟物体在基片上的光散射 扩展阅读
本教程分析 InAs 纳米线 FET 的电导-栅极-电压 (G-Vg) 曲线的滞回现象,使用密度梯度理论将量子限域效应添加到传统的漂移-扩散公式中,不会大幅增加计算成本。这种滞后现象是由连续能量分布 ... 扩展阅读
在这个由两部分组成的示例的前半部分,我们构建一个沟槽栅 IGBT 二维模型,然后在后半部分将其扩展成三维模型。通常,最有效的方法是从二维模型开始,以确保一切按预期工作,然后再将其扩展到三维。本例将 Caughey ... 扩展阅读
本例举例说明如何模拟终端 边界条件下电流和电压激励之间的切换。有关这一现象的更详细描述以及建模过程,请参阅博客文章“使用 AC/DC 模块控制电流和电压源”。 扩展阅读
“AC/DC 模块”中的磁接口支持使用外部 C 代码定义的材料模型。COMSOL Multiphysics 5.2 版本引入了一种指定用户定义材料模型的新方法。支持用户访问用 C 代码编写的外部材料函数 ... 扩展阅读
本例演示如何在三维空间中对 FinFET 进行建模仿真,以获取其电流-电压 (I-V) 特性。首先,通过扫描栅极电压,绘制出漏极电流与栅极电压的关系曲线。随后,在固定栅极电压条件下,进一步计算漏极电流随漏极电压变化的特性。 扩展阅读