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Molecular Flow Modulex

单向分子流中的旋转板

此模型计算在高度定向分子流中旋转的板表面的粒子通量、数密度和压力。将获得的结果与其他计算分子流的近似技术所得结果进行了比较。 扩展阅读

超高真空化学气相沉积

化学气相沉积 (CVD) 是半导体工业中常用的在晶片基板顶部生长高纯度固体材料层的工艺。 使用许多不同的技术在从大气压到超高真空 (UHV/CVD) 的压力范围内实现 CVD。 UHV/CVD 在低于 10-6 Pa(10-8 托)的压力下进行,因此气体传递是通过分子流实现的,并且不存在任何流体动力学效应,例如边界层。另外,由于分子碰撞频率较低,也不涉及气相化学,因此生长速率将由物质数密度和表面分子分解过程决定。 此模型采用多种物质、自由分子流来模拟硅晶片的生长,研究了多种泵送曲线的影响。 扩展阅读

S 弯中的分子流

本案例计算了通过 S 弯几何结构的传输概率,其中使用“自由分子流”接口中的角系数方法,以及“数学粒子追踪”接口中的蒙特卡洛方法。两种方法计算得出的传输概率非常一致,差异不足 1%%。需要“粒子追踪模块”。 扩展阅读

差动泵浦

压差真空系统使用小孔或管来连接真空系统中两个压力相差较大的部分。当工艺在较高压力下运行,并且由需要 UHV 才能运行的检测器进行监控时,需要使用这种系统。在模型中,使用流率的解析式对气流通过狭窄管道流入高真空室的过程作近似处理。还可以适当修改该模型来直接使用实验数据。将通过解析模型与“自由分子流”接口相耦合得到的结果与在系统的管道和 UHV 部分包含自由分子流的仿真进行了比较。 扩展阅读

离子注入机计算器 中文

“离子注入机计算器”App 分析离子注入系统的设计。离子注入在半导体工业中广泛用于将掺杂剂注入到晶片。 在离子注入机内,离子源内产生的离子经电场加速,获得所需的注入能量。通过磁分离方式使离子束弯曲,选择电荷状态合适的离子,从而确保只有特定荷质比的离子才能到达晶片。这一过程中离子束的能量剂量和角度都是关键参数。 通过该 App,用户可以更改晶片的角度以及除气物质的分子量、除气速率和表面温度。还可以调节低温涡轮泵的速度。 可以将数密度、压力、分子通量以及沿离子束线的平均数密度可视化。 扩展阅读

RF 耦合器中的分子流

这个模型计算了通过 RF 耦合器的传输概率,其中使用“自由分子流”接口中的角系数方法,以及“数学粒子追踪”接口中的蒙特卡洛方法。两种方法计算得出的传输概率非常一致,差异不足 1%%。需要“粒子追踪模块”。 扩展阅读

蒸发器

本案例介绍了如何计算热蒸发金膜的厚度,计算了室壁和样品上沉积膜的厚度。 扩展阅读

电荷交换室模拟器 中文

电荷交换单元由真空室中处于高压的气体区域组成。离子束与高密度气体相互作用时,离子与气体发生电荷交换反应,产生高能中性粒子,很可能只有一小部分离子束将进行电荷交换反应,因此,为了使离子束保持中性,在电荷交换单元外放置一对带电偏转板,通过这种方式可以产生高能中性源。 该 App 模拟质子束与含中性氩的电荷交换单元之间的相互作用。用户输入包括气室和真空室的多个几何参数、离子束属性以及用于使未发生电荷交换反应的离子产生偏转的带电板的属性。 该仿真 App 计算电荷交换单元的效率(测量保持中性的离子的百分比),并记录有关发生的不同类型碰撞的统计信息。 扩展阅读

负载锁定真空系统中水的吸附和解吸

本案例介绍了如何模拟低压下真空系统中水的瞬态吸附和解吸。当打开负载锁的闸阀后,水被引入到系统中,模型对随后水的迁移和泵送进行建模。 扩展阅读

毛细管中的分子流

计算任意几何中的分子流会生成复杂的积分方程,这些方程很难用解析方法进行计算。因此,解析解仅适用于简单几何。最早求解的问题之一是气体流过任意长度的管,这最初是由 Clausing 正确推导的。后来,Cole 更准确地计算了 Clausing 导出的积分表达式。他们二位导出了在克努森数大于 1(在分子流态下),入射到任意长度管上的分子的传输概率值,该值与压力无关。 该模型使用“自由分子流”接口计算分子流通过长度/半径比不同的微毛细管的传输概率,将结果与 Cole 计算的精确解进行了比较。 扩展阅读

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