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化学气相沉积 (CVD) 是半导体工业中常用的在晶片基板顶部生长高纯度固体材料层的工艺。 使用许多不同的技术在从大气压到超高真空 (UHV/CVD) 的压力范围内实现 CVD。 UHV/CVD 在低于 10-6 ... 扩展阅读
“离子注入机计算器”App 分析离子注入系统的设计。离子注入在半导体工业中广泛用于将掺杂剂注入到晶片。 在离子注入机内，离子源内产生的离子经电场加速，获得所需的注入能量。通过磁分离方式使离子束弯曲 ... 扩展阅读
本案例计算了通过 S 弯几何结构的传输概率，其中使用“自由分子流”接口中的角系数方法，以及“数学粒子追踪”接口中的蒙特卡洛方法。两种方法计算得出的传输概率非常一致，差异不足 1%%。需要“粒子追踪模块”。 扩展阅读
气室在科学仪器的设计中有多种应用，用于定义仪器主真空系统内的高压区。例如，在该 App 中，请注意，我们正在设计一个 100 mm 长的高压区，碰撞池内部的工作压力为 1e-3 Torr ，主真空系统压力为 1e-5 ... 扩展阅读
这个模型计算了通过 RF 耦合器的传输概率，其中使用“自由分子流”接口中的角系数方法，以及“数学粒子追踪”接口中的蒙特卡洛方法。两种方法计算得出的传输概率非常一致，差异不足 1%%。需要“粒子追踪模块”。 扩展阅读
本案例介绍了如何模拟低压下真空系统中水的瞬态吸附和解吸。当打开负载锁的闸阀后，水被引入到系统中，模型对随后水的迁移和泵送进行建模。 扩展阅读
电荷交换单元由真空室中处于高压的气体区域组成。离子束与高密度气体相互作用时，离子与气体发生电荷交换反应，产生高能中性粒子，很可能只有一小部分离子束将进行电荷交换反应，因此，为了使离子束保持中性 ... 扩展阅读
计算任意几何中的分子流会生成复杂的积分方程，这些方程很难用解析方法进行计算。因此，解析解仅适用于简单几何。最早求解的问题之一是气体流过任意长度的管，这最初是由 Clausing 正确推导的。后来，Cole ... 扩展阅读