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本例使用 Anand 黏塑性模型研究焊点在热负荷作用下的黏塑性蠕变，适用于大幅度各向同性黏塑性变形与小幅度弹性变形同时存在的情况。 几何结构包含两个电子元件（芯片），这些电子元件通过多个焊球接头安装在电路板上 ... 扩展阅读
本例演示如何对受到随机振动的结构进行疲劳分析，并使用根据 Bendat 和 Dirlik 的循环计数模型对失效时间进行比较。 扩展阅读
本案例使用频域模型计算了同心共面的单匝一次线圈与 20 匝二次线圈之间的互感和感应电流。二次线圈通过均质方法建模，该方法不需要明确计算每匝线圈。将所得结果与解析预测值进行了比较。 扩展阅读
Unwanted electrical arcing poses significant risks to the reliability and safety of electrical and electronic ... 扩展阅读
离子敏场效应晶体管 (ISFET) 是用适当的电解质取代 MOSFET 的栅极触点构建的。电解质中特定离子种类的浓度可以通过测量由离子与栅极电介质之间的相互作用引起的栅压变化来确定。 此 ISFET pH ... 扩展阅读
此模型计算一个简化的 MOSFET 元件的直流特性。首先计算漏极电流与栅压的关系，确定器件的阈值电压；然后计算多个栅压下漏极电流与漏极电压的特性。用户可以根据这些结果确定器件的线性区和饱和区。 扩展阅读
本例演示一个基准测试，结果表明，使用电流，多层壳 物理场接口得到的结果与使用基于三维实体结构的电流 接口求解模型的结果相同。 扩展阅读