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金属氧化物场效应管(MOSFET)的直流特征 中文

本案例计算一个简单的 MOSFET 的直流特征。首先计算了汲电流对栅压的关系,用来确定器件的电压阈值。然后计算了不同栅压下的汲电流 vs 汲电压特征。通过这些结果图,可以分析出器件的线性区和饱和区。

InGaN/AlGaN 双异质结 LED

本模型仿真了一个 GaN 基发光二极管器件,计算得到发射强度、谱带和效率随驱动电流变化的函数。模拟了跨越带隙的直接辐射复合,以及非辐射 Auger 和阱辅助散射过程。这导致发射强度随着增加的电流出现次线性增长,是一种 LED 器件的常见现象,称为 LED 光效下降。

双极晶体管的三维分析

这个模型显示如何设置和分析一个三维的双极晶体管,注意模型较大,可能需要一整天的计算时间。

PN结标准案例

本标准案例采用有限元方法和有限体积法分别计算了一个一维 pn 结的电势和载流子浓度,结果与 Kramer 和 Hitchon 编著的 "Semiconductor Devices, A Simulation Approach" 一书中的相同设备进行比较。

GaAs PIN 光电二极管

这个模型演示如何使用半导体光电子学接口来模拟一个简单的 GaAs PIN 偶极结构,考虑了半导体中的激发和自发发射。通过半自洽形式引入了相应的光吸收和复数折射率的变化。

PN 二极管电路

本案例显示了如何耦合一个外电路到一个 pn 结二极管器件,从耦合模拟得到的结果与一个集总模型进行了比较。

GaAs p-n 结红外发光二极管

本模型仿真了一个发射电磁谱的红外部分的 LED,器件的结构由一个 p-n 结组成,它是通过在一个 n 型晶圆靠近顶部表面的区域添加 p 型掺杂层构成。这种器件的几何生产起来很简单和便宜,得到的 LED 常用于很多家用设备,例如,电视机遥控器中的红外发射器。本模型中 ...

硅纳米线全包围栅的表面捕获

这个模型分析了一个具有不同捕获密度的硅纳米线全包围栅器件。捕获效应增加了器件的阈电压。

双极场效应管

本案例描述如何设置一个简单的双极场效应管模型,分析共发射极输出电压与共发射极电流增益。

异质结标准案例

这是一个一维的标准案例,模拟三个不同的异质结在正向和反向偏压下的响应。

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