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MOS 晶体管 (MOSFET) 的直流特性 中文

此模型计算一个简化的 MOSFET 元件的直流特性。首先计算漏电流与栅压的关系,确定器件的阈值电压;然后计算多个栅压下漏电流与漏电压的特性。用户可以根据这些结果确定器件的线性区和饱和区。

砷化镓 PIN 光电二极管

这个简单模型演示如何使用半导体光电子学接口对简单的砷化镓 PIN 二极管结构建模,其中分析了半导体中的激发和自发发射,通过自洽方式引入了相应的光吸收和复折射率的相关变化。

InGaN/AlGaN 双异质结 LED

此模型模拟氮化镓基发光二极管器件,计算了发射强度、光谱和效率随驱动电流变化的情况,模拟了带隙上的直接辐射复合,以及非辐射俄歇和陷阱辅助散射过程。这导致发射强度随着电流增加而次线性增加,这是 LED 器件的常见特性,称为 LED 光效下降。

一维硅太阳能电池

这是一个简单的一维硅太阳能电池模型。使用简单的用户定义表达式求解光生成率。结果显示太阳能电池的典型 I-V 曲线。

使用射线光学的硅太阳能电池仿真 中文

此模型将“射线光学模块”与“半导体模块”相结合,来阐明硅太阳能电池在用户指定位置的工作情况。“射线光学模块”计算在用户选定的某一天以及某个地点的平均照度。“半导体模块”计算设计参数由用户指定的太阳能电池的归一化输出特性。然后,将归一化输出特性与计算所得的平均照度相乘,得到电池在指定日期和地点的输出特性(假定输出与照度之间是简单的线性关系)。

砷化镓 p-n 结红外发光二极管

此模型模拟在电磁波谱的红外部分发光的 LED。该器件结构由一个 p-n 结组成,通过在 n 型晶片上表面附近添加 p 型掺杂来制作一个层,由此可以形成 p-n 结。 这种器件的几何结构简单,且造价便宜,因此类似的 LED 常用于电视机遥控器中的红外发射器等许多家用电器。 在此模型中,使用*光跃迁* 特征计算此器件的电致发光,计算了电子特性并评估了光的产生效率。此外,通过将辐射重合的空间分布可视化,可以给出设计建议来将输出光的总效率最大化。

PN 二极管电路

模型提取硅 p-n 结二极管的 SPICE 参数,用于创建半波整流器的集总元件等效电路模型。将模型与完整器件仿真进行了比较。在示例中,将二维网状 p-n 结二极管连接到包含正弦源、电阻器和接地的电路,形成基本半波整流器电路,建立器件模型。为了验证仿真结果,将器件仿真的输出与使用大信号二极管模型获得的电路响应进行了比较。

双极晶体管的三维分析

此模型介绍如何建立 n-p-n 双极晶体管的三维仿真,它是双极晶体管模型中所示器件的三维版本,演示了如何使用 COMSOL Multiphysics 将半导体建模扩展为三维模式。 正如此模型的二维版本一样,在共发射极工作模式下模拟器件,计算电压驱动研究来表明器件的电流-电压响应特性,并且执行电流驱动研究来模拟作为模拟电流放大器的器件。

一维 PN 结

这个简单的基准模型采用有限元法和有限体积法计算一维 p-n 结的电势和载流子浓度。将结果与 Kramer 和 Hitchon 编著的 "Semiconductor Devices: A Simulation Approach" 一书中的等效装置进行了比较。

波长可调 LED 中文

蓝光 LED 因为在现代高效照明中的应用而广受关注。由于带隙能量大,氮化镓广泛应用于生成蓝光。该 App 模拟了氮化镓基发光二极管的发射属性。此元件活化区使用的材料为 InxGa1-xN,包含镓和铟的混合物,其中铟的成份由 x 给定。这种可调活化区的带隙可以通过改变铟的含量来加以控制。

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