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COMSOL-News-Magazine-2017
COMSOL-News-Magazine-2017-Special-edition-acoustics
COMSOL-News-Magazine-2016

双极晶体管热分析

本例演示如何将“半导体”接口耦合到“固体传热”接口,其中双极晶体管元件配置为正向放大工况,对其进行热分析。“半导体”接口计算该元件内的载流子动力学和电流,并输出电传输过程所产生的热项。这一热项用作“固体传热”接口的热源,用于计算元件内的温度分布。这一温度分布又用于指定“半导体”接口的晶格温度,从而改变电性质并引起热项的变化,产生一个全耦合的模型。

双极晶体管

该示例演示如何设置简单双极晶体管的仿真。计算了共发射极配置中的输出电流电压特性,并确定了共发射极电流增益。

MOSFET 击穿

本例显示如何使用瞬态求解器对金属氧化物场效应管 (MOSFET) 在碰撞电离作用下的击穿进行建模。MOSFET 通常在一个栅压给定的汲-源电压的三个范围内工作。起初,电流-电压呈线性关系,这是欧姆区。随着汲-源电压的增加,汲取电流开始饱和,这是饱和区。当汲-源电压继续上升达到击穿范围时,电流随外加电压的微小变动呈指数递增,这由碰撞电离导致。

可调波长的 LED 中文

蓝光 LED 因为在现代高效照明中的应用而广受关注。由于带隙能量大,氮化镓广泛应用于生成蓝光。该 App 模拟了氮化镓基发光二极管的发射属性。此元件活化区使用的材料为 InxGa1-xN,包含镓和铟的混合物,其中铟的成份由 x 给定。这种可调活化区的带隙可以通过改变铟的含量来加以控制。

硅纳米线环栅元件的表面捕获

本例分析了一个在栅极处具有不同捕获密度的硅纳米线环栅元件。捕获效应增加了元件的阈值电压。

Schottky 接触

该基准模型模拟由硅晶片上沉积钨触点制成的理想 Schottky 势垒二极管。在正向偏压下得到模型的 J-V 曲线(电流密度 vs. 外加电压)与文献中的实验测试结果进行了对比。

一维双势垒

该验证示例建立了一个简单的一维 GaAs/AlGaAs 双势垒结构,分析了准束缚态、它们的时间演化、共振隧穿现象以及透射随能量变化的情况。对于准束缚态和共振隧穿情况下计算得到的特征能量以及计算的透射系数,得到的结果与解析结果非常一致。

超晶格带隙工具 中文

超晶格带隙工具有助于设计由两种交替生长的半导体材料(超晶格)构成的周期性结构。这种工具使用有效质量薛定谔方程来估算给定超晶格结构中电子和空穴的基态能级。设备工程师可以使用该工具快速计算给定周期性结构的有效带隙,并对设计参数运行迭代,直到获得所需的带隙值。

一维异质结

这个一维基准模型模拟三个不同的异质结在正向和反向偏压下的响应。

MOSFET 迁移率模型

本例显示如何在简单的金属氧化物场效应管 (MOSFET) 示例中添加多个链接的迁移率模型。