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Schottky 接触

该基准模型模拟由硅晶片上沉积钨触点制成的理想 Schottky 势垒二极管。在正向偏压下得到模型的 J-V 曲线(电流密度 vs. 外加电压)与文献中的实验测试结果进行了对比。

可调波长的 LED 中文

蓝光 LED 因为在现代高效照明中的应用而广受关注。由于带隙能量大,氮化镓广泛应用于生成蓝光。该 App 模拟了氮化镓基发光二极管的发射属性。此元件活化区使用的材料为 InxGa1-xN,包含镓和铟的混合物,其中铟的成份由 x 给定。这种可调活化区的带隙可以通过改变铟的含量来加以控制。

一维异质结

这个一维基准模型模拟三个不同的异质结在正向和反向偏压下的响应。

硅纳米线环栅元件的表面捕获

本例分析了一个在栅极处具有不同捕获密度的硅纳米线环栅元件。捕获效应增加了元件的阈值电压。

MOSFET 小信号分析

本例显示如何计算金属氧化物场效应管 (MOSFET) 的交流特性,计算了输出电导和跨导随漏电流的变化情况。

一维硅太阳能电池

这是一个简单的一维硅太阳能电池模型。使用简单的用户定义表达式求解光生成率。结果显示太阳能电池的典型 I-V 曲线。

MOSFET 迁移率模型

本例显示如何在简单的金属氧化物场效应管 (MOSFET) 示例中添加多个链接的迁移率模型。

MESFET 的直流特性

本例使用仅包含多数载流子的公式来比较 MESFET 的电流-电压特性。

浮栅 EEPROM 器件的编程

本例计算浮栅“电可擦除可编程只读存储器”(EEPROM) 器件中的电流与电荷特性。通过稳态研究来计算电流-电压曲线随两种不同数量存储电荷的控制栅压的变化情况,从而演示浮栅上存储的电荷发生变化所产生的影响。随后进行的瞬态研究用来模拟控制栅上的瞬态电压脉冲。这些脉冲使电流在浮栅和半导体材料之间产生隧穿,从而可以对 EEPROM 器件进行编程和擦除。

硅太阳能电池和射线光学 中文

此模型将“射线光学模块”与“半导体模块”相结合,来阐明硅太阳能电池在用户指定位置的工作情况。“射线光学模块”计算在用户选定的某一天以及某个地点的平均照度。“半导体模块”计算设计参数由用户指定的太阳能电池的归一化输出特性。然后,将归一化输出特性与计算所得的平均照度相乘,得到电池在指定日期和地点的输出特性(假定输出与照度之间是简单的线性关系)。