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可调波长的 LED

蓝光 LED 因为在现代高效照明中的应用而广受关注。由于具有很大的带隙能量,氮化镓广泛应用于产生蓝光。这个 App 仿真了氮化镓基发光二极管的发射属性,器件的活化区中的材料使用 InxGa1-xN,包含镓和铟的混合物,其中铟的成份由 x 给定。这种可调活化区的带隙可以通过改变铟的比例来加以控制。

Schottky 接触

这是一个标准案例,模拟由硅片上沉积钨制造的理想 Schottky 势垒二极管。在正向偏压模型得到的 J-V 曲线(电流密度 vs. 电压)与文献中的实验测试结果进行了对比。

双极晶体管热分析

这个模型显示如何在现存的双极晶体管模型上进行热分析。固体传热接口提供了半导体接口的晶格温度,空穴和电子电流产生热源。

迁移率模型 MOSFET

本例显示如何在简单 MOSFET 示例中添加多个链接的迁移率模型。

MOSFET 击穿

本例显示如何使用瞬态求解器来模拟一个 MOSFET 在碰撞电离作用下击穿。一般情况下,MOSFET 通常在一个给定的门电压的汲-源电压的三个范围内工作。刚开始时,电流-电压是线性关系,这是欧姆区;随着汲-源电压的增加,汲取电流开始饱和,这是饱和区;当汲-源电压继续上升达到击穿范围时 ...

金属半导体场效应管(MESFET)的直流特征

本案例模型使用只包含多数载流子的公式,比较一个 MESFET 的电流-电势特征。

Caughey-Thomas 迁移率

本案例演示如何使用 Caughey-Thomas 高场饱和模型来研究电子和空穴的迁移率。随场发生变化的迁移率会带来一系列问题,因为它产生了很强的非线性。有必要使用连续性研究来扩展得到高场限制中的收敛性。

MOSFET 小信号分析

本例显示如何计算 MOSFET 的交流特征,作为汲电流的函数,计算了输出电导率和跨导率。

浮栅 EEPROM 器件的编程

这个模型计算浮栅电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)器件中的电池和电荷特征。一个稳态求解通过计算对两种不同数量的存储电荷的控制栅压函数的电流-电压曲线,演示了改变浮动栅上存储电荷的效应。随后进行的瞬态求解用来仿真控制栅上的瞬态电压脉冲,这些脉冲使得电流在浮栅和半导体材料之间产生隧穿,从而可以对 ...

Lombardi 表面迁移率

本案例演示如何使用 Lombardi 表面迁移率模型来研究 MOSFET 中的电子迁移率。计算得到的电流密度和流入终端的总电流与定常迁移率的情况进行了比较。

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