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COMSOL-News-Magazine-2017
COMSOL-News-Magazine-2017-Special-edition-acoustics
COMSOL-News-Magazine-2016

砷化镓 p-n 结红外发光二极管

本例模拟了一个发射电磁谱的红外部分的 LED。此元件由一个 p-n 结组成,是通过在一个 n 型晶圆靠近上表面的区域添加 p 型掺杂层形成的。这种元件的几何结构简单、材料便宜,易于加工生产,因此制成的 LED 常用于很多的家用设备,例如,电视机遥控器中的红外发射器。本例中,使用“光跃迁”特征来计算来自元件的电致发光,计算了电子特性,评估了光转化效率。此外,通过对辐射重合的空间分布进行可视化显示,对得到最大输出光效率给出设计可行性建议。

双极晶体管热分析

本例演示如何将“半导体”接口耦合到“固体传热”接口,其中双极晶体管元件配置为正向放大工况,对其进行热分析。“半导体”接口计算该元件内的载流子动力学和电流,并输出电传输过程所产生的热项。这一热项用作“固体传热”接口的热源,用于计算元件内的温度分布。这一温度分布又用于指定“半导体”接口的晶格温度,从而改变电性质并引起热项的变化,产生一个全耦合的模型。

双极晶体管

该示例演示如何设置简单双极晶体管的仿真。计算了共发射极配置中的输出电流电压特性,并确定了共发射极电流增益。

可调波长的 LED 中文

蓝光 LED 因为在现代高效照明中的应用而广受关注。由于带隙能量大,氮化镓广泛应用于生成蓝光。该 App 模拟了氮化镓基发光二极管的发射属性。此元件活化区使用的材料为 InxGa1-xN,包含镓和铟的混合物,其中铟的成份由 x 给定。这种可调活化区的带隙可以通过改变铟的含量来加以控制。

超晶格带隙工具 中文

超晶格带隙工具有助于设计由两种交替生长的半导体材料(超晶格)构成的周期性结构。这种工具使用有效质量薛定谔方程来估算给定超晶格结构中电子和空穴的基态能级。设备工程师可以使用该工具快速计算给定周期性结构的有效带隙,并对设计参数运行迭代,直到获得所需的带隙值。

一维双势垒

该验证示例建立了一个简单的一维 GaAs/AlGaAs 双势垒结构,分析了准束缚态、它们的时间演化、共振隧穿现象以及透射随能量变化的情况。对于准束缚态和共振隧穿情况下计算得到的特征能量以及计算的透射系数,得到的结果与解析结果非常一致。

Schottky 接触

该基准模型模拟由硅晶片上沉积钨触点制成的理想 Schottky 势垒二极管。在正向偏压下得到模型的 J-V 曲线(电流密度 vs. 外加电压)与文献中的实验测试结果进行了对比。

MOSFET 迁移率模型

本例显示如何在简单的金属氧化物场效应管 (MOSFET) 示例中添加多个链接的迁移率模型。

硅纳米线环栅元件的表面捕获

本例分析了一个在栅极处具有不同捕获密度的硅纳米线环栅元件。捕获效应增加了元件的阈值电压。

MOSFET 小信号分析

本例显示如何计算金属氧化物场效应管 (MOSFET) 的交流特性,计算了输出电导和跨导随漏电流的变化情况。