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本教学模型基于 Jock 等人关于自旋轨道量子比特的论文，求解均匀磁场中简单硅量子点的两分量薛定谔方程的特征态。模型中使用了“薛定谔方程”接口的内置“洛伦兹力”域条件来考虑矢势对动量的贡献；同时，采用内置的“零阶哈密顿 ... 扩展阅读

“基于射线光学模拟硅太阳能电池”App 结合了“射线光学模块”和“半导体模块”，阐明硅太阳能电池在特定日期和位置的工作情况。“射线光学模块”计算用户选定的日期和位置的平均照度，“半导体模块 ... 扩展阅读

本案例模拟了由沉积在硅晶片上的钨触点制成的理想 Schottky 势垒二极管，案例中将计算所得的正向偏压下的 J-V（电流密度 vs. 外加电压）曲线与文献中的实验测量结果进行了比较。 扩展阅读

随着外加场平行分量的增大，载流子可以获得高于环境热能的能量，并且能够通过光学声子发射将场获得的能量传递到晶格。光学声子发射产生的效应导致载流子迁移率饱和。Caughey Thomas ... 扩展阅读

这个基准模型模拟三种不同构型的异质结在正向和反向偏压下的特性，显示了使用连续准费米能级公式与热电子发射公式计算异质结中的电荷转移的差异；通过模拟每种构型的能级并进行比较，阐明了电荷转移的起源，即 ... 扩展阅读

此基准模型计算未发生应变和发生应变的块状 GaN 纤锌矿晶体的价带结构，为想要使用“薛定谔方程”接口建立多个波函数分量的用户提供教学案例。该模型遵循 Chuang 和 Chang 在参考资料中给出的公式 ... 扩展阅读

此基准模型模拟分级异质结，其中使用热电子发射公式求解异质结上的电荷转移，通过使用 WKB 近似，显示穿过势垒的量子隧穿效应对电流密度的额外贡献。模拟的系统本质上是一维模型，但我们创建了二维模型来演示较常规构型的仿真过程 ... 扩展阅读

模型提取硅 p-n 结二极管的 SPICE 参数，用于创建半波整流器的集总元件等效电路模型。将模型与完整器件仿真进行了比较。在示例中，将二维网状 p-n 结二极管连接到包含正弦源、电阻器和接地的电路 ... 扩展阅读

本案例演示了如何建立简单的双极晶体管模型，计算了共发射极配置中的输出电流-电压特性，并确定了共发射极电流增益。 扩展阅读

此模型计算浮栅“电可擦除可编程只读存储器”(EEPROM) 器件的电流和电荷特性。稳态研究针对两种不同电荷存储量计算电流-电压曲线随控制栅压的变化，从而演示改变存储在浮栅上的电荷的效果 ... 扩展阅读