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根据给定栅压的漏源电压，MOSFET 通常有三种工作模式。漏源电压较小时，电流与电压呈线性关系，这是欧姆区；随着漏源电压的升高，引出电流开始饱和，这是饱和区；随着漏源电压进一步升高，进入击穿范围 ... 扩展阅读
本模型使用“半导体”和 RF 模块来描述光电导天线 (PCA)。 本例将一束激光脉冲作用在未掺杂的低温生长砷化镓 (LT-GaAs) 表面，以产生电子-空穴对。这些电子-空穴对在外部电场的作用下移动，形成瞬态电流脉冲 ... 扩展阅读
离子敏场效应晶体管 (ISFET) 是用适当的电解质取代 MOSFET 的栅极触点构建的。电解质中特定离子种类的浓度可以通过测量由离子与栅极电介质之间的相互作用引起的栅压变化来确定。 此 ISFET pH ... 扩展阅读
这个基准模型模拟三种不同构型的异质结在正向和反向偏压下的特性，显示了使用连续准费米能级公式与热电子发射公式计算异质结中的电荷转移的差异；通过模拟每种构型的能级并进行比较，阐明了电荷转移的起源，即 ... 扩展阅读
本例演示用于模拟Asahi 等人在参考文献中所述的阱内量子点太阳能电池的近似方法。量子阱和量子点层均被视为带隙中的集总能级，作者指定了点/阱能级与能带之间的跃迁，而电流密度的连续部分则不受阱和点的影响。这一描述等同于 ... 扩展阅读
模型提取硅 p-n 结二极管的 SPICE 参数，用于创建半波整流器的集总元件等效电路模型。将模型与完整器件仿真进行了比较。在示例中，将二维网状 p-n 结二极管连接到包含正弦源、电阻器和接地的电路 ... 扩展阅读
本教学案例使用密度梯度理论在传统的漂移-扩散公式中引入量子限域效应，以此分析 InSb p 沟道场效应晶体管的直流特性，而不会大量消耗计算资源。量子阱沟道和靠近沟道的顶部绝缘体界面都应用了该限制效应 ... 扩展阅读
双势垒结构因其在共振隧穿二极管等半导体器件中的应用而受到关注。 此验证示例演示如何在薛定谔方程 接口中建立简单的一维砷化镓/铝砷化镓双势垒结构，分析准束缚态及其时间演化、共振隧穿现象以及透射随能量变化的情况 ... 扩展阅读