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在这个由两部分组成的示例的后半部分,我们通过扩展前半部分的二维模型来构建沟槽栅 IGBT 三维模型。与二维模型不同的是,现在可以像在真实设备中一样,沿拉伸方向交替排列 n+ 和 p+ 发射极 ... 扩展阅读
在 MESFET 中,栅极形成整流结,该整流结通过改变结的耗尽宽度来控制沟道的开口。 在此模型中,我们模拟了 n 掺杂砷化镓 MESFET 对不同漏极和栅压的响应。对于 n 型掺杂材料 ... 扩展阅读
这个基准示例构建两个跨桥开尔文电阻器模型,用于提取比接触电阻率。第一个模型使用“半导体”接口中内置的接触电阻特征,以三维模式模拟该系统。另一个模型是参考文献中开发的系统的二维近似,通过边界偏微分方程数学接口实现 ... 扩展阅读
环栅 MOSFET 由纳米线组成,纳米线周围缠绕着栅电极。由于整个纳米线形成沟道,因此这一构型可以实现对沟道的最佳静电控制,并为 MOSFET 的小型化提供了非常好的备选方案。 ... 扩展阅读
本教学案例基于 B. J. Baliga 编写的 "Fundamentals of Power Semiconductor Devices" 一书(2008 年版,第 242 页),模拟一个简单 PIN ... 扩展阅读
此基准模型模拟砷化镓纳米线,其中使用自洽薛定谔-泊松理论计算电子密度分布和限制电势分布。预定义的薛定谔-泊松多物理场耦合特征与专用的薛定谔-泊松研究类型相结合,可简化模型设置和自动创建参数可调的自洽迭代的过程 ... 扩展阅读
在这个由两部分组成的示例的前半部分,我们构建一个沟槽栅 IGBT 二维模型,然后在后半部分将其扩展成三维模型。通常,最有效的方法是从二维模型开始,以确保一切按预期工作,然后再将其扩展到三维。本例将 Caughey ... 扩展阅读
这个教学案例求解由简谐势阱束缚的旋转玻色-爱因斯坦凝聚体中涡格形成的 Gross–Pitaevskii 方程,这本质上是一个非线性单粒子薛定谔方程,粒子间的相互作用通过与局部粒子密度成比例的势能贡献表示 ... 扩展阅读
金属-氧化物-硅 (MOS) 结构是许多硅平面器件的基本构建块,其电容测量法可以帮助用户深入了解此类器件的工作原理。本教学案例构建了一个简单的 MOS 电容器 (MOSCAP) 一维模型 ... 扩展阅读
本教学案例大致基于 B. J. Baliga 编写的 "Fundamentals of Power Semiconductor Devices" 一书(2008 年版,第 256 页),模拟了带电感负载的简单 PIN ... 扩展阅读