每页:
搜索

半导体器件 博客文章

使用基准模型提取比接触电阻率

2022年 3月 12日

现在可以使用半导体模块为金属触点增加接触电阻。在这篇博文中,我们将探索一个利用这一新功能的基准模型。

使用仿真 App 优化太阳能电池设计

2021年 10月 28日

SolCelSim 仿真 App 由 Zilina 大学的一名理学硕士生设计,使研究人员能够模拟太阳能电池设计,即使他们不熟悉仿真软件。

模拟均匀磁场中的硅量子点

2021年 1月 26日

从 COMSOL Multiphysics® 软件 5.6 版本开始,半导体模块的薛定谔方程 物理场接口新增了处理多分量波函数的功能。在使用 COMSOL 对半导体器件材料的能带结构进行仿真的博客文章中,我们讨论了如何使用此接口功能处理多分量波函数。本篇博文,我们将以均匀磁场中的硅量子点模型为例,继续探索这项新功能。 量子点简介 量子点是纳米技术中必不可少的组成部分,在太阳能电池、发光二极管(LEDs)、显示器,光电探测器和量子计算中都具有潜在应用前景。Jock 等人最近发表了一篇与自旋轨道量子位的应用领域相关的论文(参考文献1)。他们在该文的补充说明1 中,提供了描述均匀磁场中硅量子点的公式,并在补充图1中显示了数值解。今天,我们将通过仿真的方法来重现该数值解。 硅量子点的薛定谔方程 在参考文献1 的补充说明中,方程1 给出了均匀磁场 \mathbf{B} 中硅量子点的单电子哈密顿量,不包括自旋轨道耦合: (1) H=\frac{Px^2}{2 m\perp} +\frac{Py^2}{2 m\perp}+\frac{Pz^2}{2 m\parallel}+V(\mathbf{r})+\muB \mathbf{B} \cdot \sigma 其中,m\perp和 m\parallel 是分别在横向和垂直方向上的有效质量;V 是量子点的约束势能;\muB 是玻尔磁子;\mathbf{\sigma} 是 Pauli 矩阵的向量;根据该论文所述,假定旋磁比张量是值为 2 的标量;动量 \mathbf{P} 由下式给出: (2) \mathbf{P}=i \hbar \nabla + e \mathbf{A}(\mathbf{r}) 式中,e 是基本电荷,\mathbf{A} 是给定的磁矢势 \mathbf{A}(\mathbf{r})=\frac{1}{2}\mathbf{B}\times\mathbf{r},并且虚数单元 i 前面没有减号,因为 COMSOL Multiphysics 中的所有物理场接口都采用工程符号 exp(-i k x + i \omega t) 而不是 exp(i k x – i \omega t)。 约束势能 V(\mathbf{r}) 项由论文中的等式9 给出: (3) V(\mathbf{r})=\frac{1}{2} m\perp \omegax^2 x^2 […]

使用 COMSOL 对半导体器件材料的能带结构进行仿真

2020年 12月 1日

使用薛定谔方程接口中的多分量波函数功能对各种半导体系统进行建模,例如具有自旋和应变纤锌矿晶体的粒子。

玻色-爱因斯坦凝聚中的涡旋晶格形成模拟

2020年 11月 17日

我们讨论了漩涡晶格的形成,这是一个可以使用COMSOL Multiphysics®和半导体模块模拟的迷人过程。

在 COMSOL 中可以使用哪个模块进行电磁学模拟?

2020年 7月 28日

很多人经常会有这样的疑问:“我应该使用哪种 COMSOL 产品来模拟特定的电磁设备或应用?”除了 COMSOL Multiphysics® 软件基本模块的功能之外, COMSOL 产品树的“电磁模块”分支中目前还有 6 个模块。另外 6 个模块分布在其余产品分支中。

基于密度-梯度理论建立的三种半导体器件模型

2019年 12月 2日

你可以用密度梯度理论来模拟半导体器件。这里有三个例子:硅反转层、硅纳米线 MOSFET 和 InSb p 沟道 FET。

密度梯度理论简介——半导体器件仿真

2019年 11月 27日

密度梯度理论是一种有效的计算方法,将量子约束包含在模拟半导体器件的漂移扩散公式中。


第一页
上一页
1–8 of 25
浏览 COMSOL 博客