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环栅 MOSFET 由纳米线组成，纳米线周围缠绕着栅电极。由于整个纳米线形成沟道，因此这一构型可以实现对沟道的最佳静电控制，并为 MOSFET 的小型化提供了非常好的备选方案。 ... 扩展阅读
金属-氧化物-硅 (MOS) 结构是许多硅平面器件的基本构建块，其电容测量法可以帮助用户深入了解此类器件的工作原理。本教学案例构建了一个简单的 MOS 电容器 (MOSCAP) 一维模型 ... 扩展阅读
随着外加场平行分量的增大，载流子可以获得高于环境热能的能量，并且能够通过光学声子发射将场获得的能量传递到晶格。光学声子发射产生的效应导致载流子迁移率饱和。Caughey Thomas ... 扩展阅读
表面声学声子和表面粗糙度对载流子迁移率具有重要影响，尤其是在 MOSFET 栅极下的薄反转层中。Lombardi 表面迁移率模型使用 Matthiessen 定则将这些影响产生的表面散射添加到现有的迁移率模型。 ... 扩展阅读
此基准模型模拟砷化镓纳米线，其中使用自洽薛定谔-泊松理论计算电子密度分布和限制电势分布。预定义的薛定谔-泊松多物理场耦合特征与专用的薛定谔-泊松研究类型相结合，可简化模型设置和自动创建参数可调的自洽迭代的过程 ... 扩展阅读
“超晶格带隙工具”模型有助于设计由两种交替半导体材料（超晶格）构成的周期性结构。此模型采用有效质量薛定谔方程来估计给定超晶格结构中的电子和空穴基态能级。器件工程技术人员可以使用此模型快速计算给定周期结构的有效带隙 ... 扩展阅读
本教学案例基于 B. J. Baliga 编写的 "Fundamentals of Power Semiconductor Devices" 一书（2008 年版，第 242 页），模拟一个简单 PIN ... 扩展阅读
本教学模型基于 Jock 等人关于自旋轨道量子比特的论文，求解均匀磁场中简单硅量子点的两分量薛定谔方程的特征态。模型中使用了“薛定谔方程”接口的内置“洛伦兹力”域条件来考虑矢势对动量的贡献；同时，采用内置的“零阶哈密顿 ... 扩展阅读
本教学案例使用“半导体模块”中的“薛定谔方程”物理场接口求解谐波势阱中玻色-爱因斯坦凝聚基态的 Gross-Pitaevskii 方程，此方程本质上是非线性单粒子薛定谔方程，其势能贡献与局部粒子密度成正比 ... 扩展阅读
这个基准示例构建两个跨桥开尔文电阻器模型，用于提取比接触电阻率。第一个模型使用“半导体”接口中内置的接触电阻特征，以三维模式模拟该系统。另一个模型是参考文献中开发的系统的二维近似，通过边界偏微分方程数学接口实现 ... 扩展阅读