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本例中的纳米线 MOSFET 三维模型使用密度梯度理论在传统的漂移-扩散公式中引入量子限域效应，而不需要过高的计算成本。其中使用几何域对氧化层进行显式模拟，并通过专用的边界条件来分析氧化硅界面的量子限域 ... 扩展阅读
本教学案例使用密度梯度理论在传统的漂移-扩散公式中引入量子限域效应，以此分析 InSb p 沟道场效应晶体管的直流特性，而不会大量消耗计算资源。量子阱沟道和靠近沟道的顶部绝缘体界面都应用了该限制效应 ... 扩展阅读
本例演示用于模拟Asahi 等人在参考文献中所述的阱内量子点太阳能电池的近似方法。量子阱和量子点层均被视为带隙中的集总能级，作者指定了点/阱能级与能带之间的跃迁，而电流密度的连续部分则不受阱和点的影响。这一描述等同于 ... 扩展阅读
“超晶格带隙工具”模型有助于设计由两种交替半导体材料（超晶格）构成的周期性结构。此模型采用有效质量薛定谔方程来估计给定超晶格结构中的电子和空穴基态能级。器件工程技术人员可以使用此模型快速计算给定周期结构的有效带隙 ... 扩展阅读
金属-氧化物-硅 (MOS) 结构是许多硅平面器件的基本构建块，其电容测量法可以帮助用户深入了解此类器件的工作原理。本教学案例构建了一个简单的 MOS 电容器 (MOSCAP) 一维模型 ... 扩展阅读
环栅 MOSFET 由纳米线组成，纳米线周围缠绕着栅电极。由于整个纳米线形成沟道，因此这一构型可以实现对沟道的最佳静电控制，并为 MOSFET 的小型化提供了非常好的备选方案。 ... 扩展阅读
此基准模型模拟砷化镓纳米线，其中使用自洽薛定谔-泊松理论计算电子密度分布和限制电势分布。预定义的薛定谔-泊松多物理场耦合特征与专用的薛定谔-泊松研究类型相结合，可简化模型设置和自动创建参数可调的自洽迭代的过程 ... 扩展阅读
表面声学声子和表面粗糙度对载流子迁移率具有重要影响，尤其是在 MOSFET 栅极下的薄反转层中。Lombardi 表面迁移率模型使用 Matthiessen 定则将这些影响产生的表面散射添加到现有的迁移率模型。 ... 扩展阅读
本教学案例演示如何在硅反型层的装置物理场仿真中使用密度梯度公式来包含量子限域效应。该公式只需要比传统的漂移-扩散方程增加适量的计算资源。因此，与其他更复杂的量子力学方法相比，采用此公式可以明显加快工程研究速度 ... 扩展阅读