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这个基准模型模拟三种不同构型的异质结在正向和反向偏压下的特性，显示了使用连续准费米能级公式与热电子发射公式计算异质结中的电荷转移的差异；通过模拟每种构型的能级并进行比较，阐明了电荷转移的起源，即 ... 扩展阅读
本教学案例大致基于 B. J. Baliga 编写的 "Fundamentals of Power Semiconductor Devices" 一书（2008 年版，第 256 页），模拟了带电感负载的简单 PIN ... 扩展阅读
这个教学案例求解由简谐势阱束缚的旋转玻色-爱因斯坦凝聚体中涡格形成的 Gross–Pitaevskii 方程，这本质上是一个非线性单粒子薛定谔方程，粒子间的相互作用通过与局部粒子密度成比例的势能贡献表示 ... 扩展阅读
本教学模型基于 Jock 等人关于自旋轨道量子比特的论文，求解均匀磁场中简单硅量子点的两分量薛定谔方程的特征态。模型中使用了“薛定谔方程”接口的内置“洛伦兹力”域条件来考虑矢势对动量的贡献；同时，采用内置的“零阶哈密顿 ... 扩展阅读
此基准模型计算未发生应变和发生应变的块状 GaN 纤锌矿晶体的价带结构，为想要使用“薛定谔方程”接口建立多个波函数分量的用户提供教学案例。该模型遵循 Chuang 和 Chang 在参考资料中给出的公式 ... 扩展阅读
金属-氧化物-硅 (MOS) 结构是许多硅平面器件的基本构建块，其电容测量法可以帮助用户深入了解此类器件的工作原理。本教学案例构建了一个简单的 MOS 电容器 (MOSCAP) 一维模型，计算低频和高频 C-V 曲线。 扩展阅读
本模型展示了如何在已有的简单 MOSFET 案例模型中，添加多个链接的迁移率模型。 扩展阅读
根据给定栅压的漏源电压，MOSFET 通常有三种工作模式。漏源电压较小时，电流与电压呈线性关系，这是欧姆区；随着漏源电压的升高，引出电流开始饱和，这是饱和区；随着漏源电压进一步升高，进入击穿范围 ... 扩展阅读
双势垒结构因其在共振隧穿二极管等半导体器件中的应用而受到关注。 此验证示例演示如何在薛定谔方程 接口中建立简单的一维砷化镓/铝砷化镓双势垒结构，分析准束缚态及其时间演化、共振隧穿现象以及透射随能量变化的情况 ... 扩展阅读
