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在这个由两部分组成的示例的后半部分，我们通过扩展前半部分的二维模型来构建沟槽栅 IGBT 三维模型。与二维模型不同的是，现在可以像在真实设备中一样，沿拉伸方向交替排列 n+ 和 p+ 发射极 ... 扩展阅读
本教学案例分别对 PIN 二极管对恒定辐射和脉冲辐射的响应进行稳态和瞬态分析。辐射效应被模拟为器件内电子-空穴对在空间上的均匀生成。在高剂量率下，所产生电荷的分离导致内部电场的降阶和过剩载流子的长期储存 ... 扩展阅读
表面声学声子和表面粗糙度对载流子迁移率具有重要影响，尤其是在 MOSFET 栅极下的薄反转层中。Lombardi 表面迁移率模型使用 Matthiessen 定则将这些影响产生的表面散射添加到现有的迁移率模型。 ... 扩展阅读
金属-氧化物-硅 (MOS) 结构是许多硅平面器件的基本构建块，其电容测量法可以帮助用户深入了解此类器件的工作原理。本教学案例构建了一个简单的 MOS 电容器 (MOSCAP) 一维模型 ... 扩展阅读
随着外加场平行分量的增大，载流子可以获得高于环境热能的能量，并且能够通过光学声子发射将场获得的能量传递到晶格。光学声子发射产生的效应导致载流子迁移率饱和。Caughey Thomas ... 扩展阅读
本教学案例演示如何在硅反型层的装置物理场仿真中使用密度梯度公式来包含量子限域效应。该公式只需要比传统的漂移-扩散方程增加适量的计算资源。因此，与其他更复杂的量子力学方法相比，采用此公式可以明显加快工程研究速度 ... 扩展阅读
本教学案例基于 B. J. Baliga 编写的 "Fundamentals of Power Semiconductor Devices" 一书（2008 年版，第 242 页），模拟一个简单 PIN ... 扩展阅读
“超晶格带隙工具”模型有助于设计由两种交替半导体材料（超晶格）构成的周期性结构。此模型采用有效质量薛定谔方程来估计给定超晶格结构中的电子和空穴基态能级。器件工程技术人员可以使用此模型快速计算给定周期结构的有效带隙 ... 扩展阅读
本教学模型基于 Jock 等人关于自旋轨道量子比特的论文，求解均匀磁场中简单硅量子点的两分量薛定谔方程的特征态。模型中使用了“薛定谔方程”接口的内置“洛伦兹力”域条件来考虑矢势对动量的贡献；同时，采用内置的“零阶哈密顿 ... 扩展阅读
这个基准示例构建两个跨桥开尔文电阻器模型，用于提取比接触电阻率。第一个模型使用“半导体”接口中内置的接触电阻特征，以三维模式模拟该系统。另一个模型是参考文献中开发的系统的二维近似，通过边界偏微分方程数学接口实现 ... 扩展阅读