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在 MESFET 中，栅极形成整流结，该整流结通过改变结的耗尽宽度来控制沟道的开口。 在此模型中，我们模拟了 n 掺杂砷化镓 MESFET 对不同漏极和栅压的响应。对于 n 型掺杂材料 ... 扩展阅读
本文档说明如何在 Microsoft® Azure 中安装并运行 COMSOL Multiphysics® 和 COMSOL Server™。这需要您首先从 COMSOL ... 扩展阅读
这个简单模型演示如何使用半导体光电子学接口对简单的砷化镓 PIN 二极管结构建模，其中分析了半导体中的激发和自发发射，通过自洽方式引入了相应的光吸收和复折射率的相关变化。 扩展阅读
根据给定栅压的漏源电压，MOSFET 通常有三种工作模式。漏源电压较小时，电流与电压呈线性关系，这是欧姆区；随着漏源电压的升高，引出电流开始饱和，这是饱和区；随着漏源电压进一步升高，进入击穿范围 ... 扩展阅读
在这个由两部分组成的示例的后半部分，我们通过扩展前半部分的二维模型来构建沟槽栅 IGBT 三维模型。与二维模型不同的是，现在可以像在真实设备中一样，沿拉伸方向交替排列 n+ 和 p+ 发射极 ... 扩展阅读
此模型计算一个简化的 MOSFET 元件的直流特性。首先计算漏极电流与栅压的关系，确定器件的阈值电压；然后计算多个栅压下漏极电流与漏极电压的特性。用户可以根据这些结果确定器件的线性区和饱和区。 扩展阅读
此模型介绍如何建立 n-p-n 双极晶体管的三维仿真，它是双极晶体管模型中所示器件的三维版本，演示了如何使用 COMSOL Multiphysics 将半导体建模扩展为三维模式。 正如此模型的二维版本一样 ... 扩展阅读
由于脱层或剥离而产生的界面破坏可以通过内聚力模型 (CZM) 来模拟。本例显示了如何实现遵从双线性拉伸分离定律的 CZM。预测了混合模式软化起点和复合材料剥离的发展。 扩展阅读
