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金属-氧化物-硅 (MOS) 结构是许多硅平面器件的基本构建块，其电容测量法可以帮助用户深入了解此类器件的工作原理。本教学案例构建了一个简单的 MOS 电容器 (MOSCAP) 一维模型 ... 扩展阅读
表面声学声子和表面粗糙度对载流子迁移率具有重要影响，尤其是在 MOSFET 栅极下的薄反转层中。Lombardi 表面迁移率模型使用 Matthiessen 定则将这些影响产生的表面散射添加到现有的迁移率模型。 ... 扩展阅读
本教学案例演示如何建立脉冲电容放电模型。导通脉冲包含 13.56 MHz 下的 10 个激励周期，以及后续 100 个无激励周期。本例研究 I-V 特性、电子密度、温度和等离子体电位。 扩展阅读
本教学案例的研究演示在点对面配置情况下，干燥空气在一个大气压条件的负电晕放电。具有毫米尺寸的椭圆电极在发生电晕放电的位置产生了高强度电场。接地平面放置在距离电晕电极 10 cm 处，电压在 -5 到 -50 kV ... 扩展阅读
本教学案例使用密度梯度理论在传统的漂移-扩散公式中引入量子限域效应，以此分析 InSb p 沟道场效应晶体管的直流特性，而不会大量消耗计算资源。量子阱沟道和靠近沟道的顶部绝缘体界面都应用了该限制效应 ... 扩展阅读
“基于射线光学模拟硅太阳能电池”App 结合了“射线光学模块”和“半导体模块”，阐明硅太阳能电池在特定日期和位置的工作情况。“射线光学模块”计算用户选定的日期和位置的平均照度，“半导体模块 ... 扩展阅读
本教学案例基于 B. J. Baliga 编写的 "Fundamentals of Power Semiconductor Devices" 一书（2008 年版，第 242 页），模拟一个简单 PIN ... 扩展阅读
在变速箱中，由于齿轮敲击和轴承不对中引起的振动是众所周知的噪声源。本例分析通过一对齿轮连接的两根轴，轴的两端由滚子轴承支撑。最初，从动轴被卸载，驱动轴以不同的速度旋转。由于齿轮中存在齿隙，齿轮啮合变为间歇性的 ... 扩展阅读
本教程分析 InAs 纳米线 FET 的电导-栅极-电压 (G-Vg) 曲线的滞回现象，使用密度梯度理论将量子限域效应添加到传统的漂移-扩散公式中，不会大幅增加计算成本。这种滞后现象是由连续能量分布 ... 扩展阅读
