“案例下载”页面提供丰富的 COMSOL Multiphysics® 教学案例和 App 演示文件，涉及电气、结构、声学、流体、传热和化工等各个学科领域。欢迎下载这些教学案例或 App 演示文件及其随附的操作说明，将其作为您建模仿真工作的绝佳起点。
您可以使用左侧的【快速搜索】工具查找与您的专业领域相关的案例模型和仿真 App。请注意，此处提供的许多案例也可以通过 COMSOL Multiphysics® 软件内置的“案例库”进行访问，该选项位于软件的文件 菜单中。
中文 带有此标签的案例包含中文 PDF 文档。
根据给定栅压的漏源电压，MOSFET 通常有三种工作模式。漏源电压较小时，电流与电压呈线性关系，这是欧姆区；随着漏源电压的升高，引出电流开始饱和，这是饱和区；随着漏源电压进一步升高，进入击穿范围 ... 扩展阅读
本模型展示了如何在已有的简单 MOSFET 案例模型中，添加多个链接的迁移率模型。 扩展阅读
本模型展示了如何计算 MOSFET 的交流特性，根据漏极电流计算了器件的输出电导和跨导。 扩展阅读
This example is an adaptation of our DC Characteristics of a MOS Transistor (MOSFET) model where the metal ... 扩展阅读
此模型计算一个简化的 MOSFET 元件的直流特性。首先计算漏极电流与栅压的关系，确定器件的阈值电压；然后计算多个栅压下漏极电流与漏极电压的特性。用户可以根据这些结果确定器件的线性区和饱和区。 扩展阅读
本例中的纳米线 MOSFET 三维模型使用密度梯度理论在传统的漂移-扩散公式中引入量子限域效应，而不需要过高的计算成本。其中使用几何域对氧化层进行显式模拟，并通过专用的边界条件来分析氧化硅界面的量子限域 ... 扩展阅读
环栅 MOSFET 由纳米线组成，纳米线周围缠绕着栅电极。由于整个纳米线形成沟道，因此这一构型可以实现对沟道的最佳静电控制，并为 MOSFET 的小型化提供了非常好的备选方案。 ... 扩展阅读
表面声学声子和表面粗糙度对载流子迁移率具有重要影响，尤其是在 MOSFET 栅极下的薄反转层中。Lombardi 表面迁移率模型使用 Matthiessen 定则将这些影响产生的表面散射添加到现有的迁移率模型。 ... 扩展阅读
离子敏场效应晶体管 (ISFET) 是用适当的电解质取代 MOSFET 的栅极触点构建的。电解质中特定离子种类的浓度可以通过测量由离子与栅极电介质之间的相互作用引起的栅压变化来确定。 此 ISFET pH ... 扩展阅读
此模型计算浮栅“电可擦除可编程只读存储器”(EEPROM) 器件的电流和电荷特性。稳态研究针对两种不同电荷存储量计算电流-电压曲线随控制栅压的变化，从而演示改变存储在浮栅上的电荷的效果 ... 扩展阅读