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半导体 博客文章

密度梯度理论简介——半导体器件仿真

2019年 11月 27日

随着半导体技术逐渐向小型化器件发展,量子限制效应变得越来越重要。针对半导体器件的物理场仿真,密度梯度理论提供了一种有效的计算方法,将量子限制用于传统的漂移扩散公式。该系列博客分为两部分,本文为第一部分。

半导体器件中的辐射效应仿真

2019年 11月 20日

半导体中的辐射效应是一个复杂的物理现象,广泛存在于许多技术领域并产生影响,例如电子工业、医学成像、核工程以及航空航天和军事应用。基于早期的论文研究(参考文献1),本文通过一个 COMSOL 案例教程,介绍了如何在 COMSOL® 软件中研究 p-i-n 二极管(又称 PIN 二极管)对电离辐射的电子响应。

动力学集体模型中的流体动力学热输运

2019年 2月 28日

巴塞罗那自治大学(Universitat Autònoma de Barcelona, UAB)的F. Xavier Alvarez讨论了借助COMSOL Multiphysics® 在纳米尺度上模拟传热,从而更好地理解传热过程。

模拟渐变异质结中的隧穿电流

2018年 10月 29日

对半导体设计感兴趣吗?了解量子隧穿效应背后的理论,并通过演示学习如何模拟渐变异质结中的量子隧穿电流。

纳米线基准模型的自洽薛定谔-泊松结果

2018年 10月 18日

使用砷化镓纳米线的基准模型验证了“薛定谔-泊松方程”多物理场接口,此接口适用于模拟包含载流子的量子约束系统。

使用半导体模块模拟 MOS 电容器

2018年 6月 20日

MOS 电容(MOSCAP)主要由三个部分构成:半导体主体或衬底、绝缘膜和金属电极(或栅极)。您可以使用“半导体模块”来模拟 MOS 电容设计。

仿真为更高效的 OLED 器件铺平道路

2016年 4月 7日

当谈到创建下一代平板显示器和固态照明时,有机发光二极管 (OLED) 可以用来帮助这些领域的发展。虽然 OLED 具有一些公认的优势,但这一新兴技术也有某些弱点,令 OLED 的整体效率受到影响。一个这样的例子就是光的损失,部分是由于表面等离激元耦合效应造成的。为了降低 OLED 器件中比较突出的这种效应,来自柯尼卡美能达实验室的研究人员转而求助 COMSOL Multiphysics® 软件。

计算普通光源的发射光谱

2016年 1月 14日

我很喜欢一年前购买的飞利浦 Hue照明系统。该系统允许使用智能手机为多达18个灯泡设置数百万种不同的颜色和数千种亮度级别。你也可以通过编程让系统在你接近住处时自动开启,这被称为“地理定位”,或者在一天中的特定时间自动开启。


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