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此模型计算一个简化的 MOSFET 元件的直流特性。首先计算漏极电流与栅压的关系，确定器件的阈值电压；然后计算多个栅压下漏极电流与漏极电压的特性。用户可以根据这些结果确定器件的线性区和饱和区。 扩展阅读
这个简单的基准模型采用有限元法和有限体积法计算一维 p-n 结的电势和载流子浓度。将结果与 Kramer 和 Hitchon 编著的 "Semiconductor Devices: A Simulation ... 扩展阅读
本教学案例使用密度梯度理论在传统的漂移-扩散公式中引入量子限域效应，以此分析 InSb p 沟道场效应晶体管的直流特性，而不会大量消耗计算资源。量子阱沟道和靠近沟道的顶部绝缘体界面都应用了该限制效应 ... 扩展阅读
本教学案例将文献中的实验数据与包含界面陷阱（表面状态）的 MOSCAP COMSOL 模型求解结果进行比较，其中使用“陷阱辅助表面复合”特征模拟陷阱电荷的影响以及陷阱捕获和发射载流子的过程 ... 扩展阅读
本教学案例大致基于 B. J. Baliga 编写的 "Fundamentals of Power Semiconductor Devices" 一书（2008 年版，第 256 页），模拟了带电感负载的简单 PIN ... 扩展阅读
表面声学声子和表面粗糙度对载流子迁移率具有重要影响，尤其是在 MOSFET 栅极下的薄反转层中。Lombardi 表面迁移率模型使用 Matthiessen 定则将这些影响产生的表面散射添加到现有的迁移率模型。 ... 扩展阅读
此基准模型模拟砷化镓纳米线，其中使用自洽薛定谔-泊松理论计算电子密度分布和限制电势分布。预定义的薛定谔-泊松多物理场耦合特征与专用的薛定谔-泊松研究类型相结合，可简化模型设置和自动创建参数可调的自洽迭代的过程 ... 扩展阅读
本模型演示如何基于一般的漂移-扩散模型来模拟电解质栅极有机场效应晶体管，其中使用“稳定对流-扩散方程”和“静电”接口，并显示晶体管特性的可视化效果。所模拟器件中 EDL 的形成过程展示了 EGOFET 的关键特性。 扩展阅读
本例中的纳米线 MOSFET 三维模型使用密度梯度理论在传统的漂移-扩散公式中引入量子限域效应，而不需要过高的计算成本。其中使用几何域对氧化层进行显式模拟，并通过专用的边界条件来分析氧化硅界面的量子限域 ... 扩展阅读
