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本教学案例演示如何在硅反型层的装置物理场仿真中使用密度梯度公式来包含量子限域效应。该公式只需要比传统的漂移-扩散方程增加适量的计算资源。因此，与其他更复杂的量子力学方法相比，采用此公式可以明显加快工程研究速度 ... 扩展阅读
本模型演示如何基于一般的漂移-扩散模型来模拟电解质栅极有机场效应晶体管，其中使用“稳定对流-扩散方程”和“静电”接口，并显示晶体管特性的可视化效果。所模拟器件中 EDL 的形成过程展示了 EGOFET 的关键特性。 扩展阅读
此模型计算一个简化的 MOSFET 元件的直流特性。首先计算漏极电流与栅压的关系，确定器件的阈值电压；然后计算多个栅压下漏极电流与漏极电压的特性。用户可以根据这些结果确定器件的线性区和饱和区。 扩展阅读
本教学案例大致基于 B. J. Baliga 编写的 "Fundamentals of Power Semiconductor Devices" 一书（2008 年版，第 256 页），模拟了带电感负载的简单 PIN ... 扩展阅读
本教学案例使用密度梯度理论在传统的漂移-扩散公式中引入量子限域效应，以此分析 InSb p 沟道场效应晶体管的直流特性，而不会大量消耗计算资源。量子阱沟道和靠近沟道的顶部绝缘体界面都应用了该限制效应 ... 扩展阅读
这个教学案例求解由简谐势阱束缚的旋转玻色-爱因斯坦凝聚体中涡格形成的 Gross–Pitaevskii 方程，这本质上是一个非线性单粒子薛定谔方程，粒子间的相互作用通过与局部粒子密度成比例的势能贡献表示 ... 扩展阅读
本教学案例将文献中的实验数据与包含界面陷阱（表面状态）的 MOSCAP COMSOL 模型求解结果进行比较，其中使用“陷阱辅助表面复合”特征模拟陷阱电荷的影响以及陷阱捕获和发射载流子的过程 ... 扩展阅读
此基准模型模拟砷化镓纳米线，其中使用自洽薛定谔-泊松理论计算电子密度分布和限制电势分布。预定义的薛定谔-泊松多物理场耦合特征与专用的薛定谔-泊松研究类型相结合，可简化模型设置和自动创建参数可调的自洽迭代的过程 ... 扩展阅读
本模型展示了如何在已有的简单 MOSFET 案例模型中，添加多个链接的迁移率模型。 扩展阅读
