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本模型演示如何模拟碳化硅二极管中由碰撞电离引起的雪崩击穿，呈现了器件的电流-电压 (I-V) 特性及电场分布图。此外，还计算了载流子产生项，以展示击穿电流的路径。 扩展阅读
模型提取硅 p-n 结二极管的 SPICE 参数，用于创建半波整流器的集总元件等效电路模型。将模型与完整器件仿真进行了比较。在示例中，将二维网状 p-n 结二极管连接到包含正弦源、电阻器和接地的电路 ... 扩展阅读
本模型演示如何基于一般的漂移-扩散模型来模拟电解质栅极有机场效应晶体管，其中使用“稳定对流-扩散方程”和“静电”接口，并显示晶体管特性的可视化效果。所模拟器件中 EDL 的形成过程展示了 EGOFET 的关键特性。 扩展阅读
此模型计算一个简化的 MOSFET 元件的直流特性。首先计算漏极电流与栅压的关系，确定器件的阈值电压；然后计算多个栅压下漏极电流与漏极电压的特性。用户可以根据这些结果确定器件的线性区和饱和区。 扩展阅读
本教学案例演示如何在硅反型层的装置物理场仿真中使用密度梯度公式来包含量子限域效应。该公式只需要比传统的漂移-扩散方程增加适量的计算资源。因此，与其他更复杂的量子力学方法相比，采用此公式可以明显加快工程研究速度 ... 扩展阅读
本教学案例大致基于 B. J. Baliga 编写的 "Fundamentals of Power Semiconductor Devices" 一书（2008 年版，第 256 页），模拟了带电感负载的简单 PIN ... 扩展阅读
本教学案例使用密度梯度理论在传统的漂移-扩散公式中引入量子限域效应，以此分析 InSb p 沟道场效应晶体管的直流特性，而不会大量消耗计算资源。量子阱沟道和靠近沟道的顶部绝缘体界面都应用了该限制效应 ... 扩展阅读
