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随着外加场平行分量的增大，载流子可以获得高于环境热能的能量，并且能够通过光学声子发射将场获得的能量传递到晶格。光学声子发射产生的效应导致载流子迁移率饱和。Caughey Thomas ... 扩展阅读
本教学案例使用硅太阳能电池的简单一维模型来演示使用“半导体模块”建立和执行半导体仿真的基本步骤。用户定义表达式用于表示光生成率，结果显示太阳能电池的典型 I-V 曲线和 P-V 曲线。 ... 扩展阅读
表面声学声子和表面粗糙度对载流子迁移率具有重要影响，尤其是在 MOSFET 栅极下的薄反转层中。Lombardi 表面迁移率模型使用 Matthiessen 定则将这些影响产生的表面散射添加到现有的迁移率模型。 ... 扩展阅读
“基于射线光学模拟硅太阳能电池”App 结合了“射线光学模块”和“半导体模块”，阐明硅太阳能电池在特定日期和位置的工作情况。“射线光学模块”计算用户选定的日期和位置的平均照度，“半导体模块 ... 扩展阅读
本例中的纳米线 MOSFET 三维模型使用密度梯度理论在传统的漂移-扩散公式中引入量子限域效应，而不需要过高的计算成本。其中使用几何域对氧化层进行显式模拟，并通过专用的边界条件来分析氧化硅界面的量子限域 ... 扩展阅读
本教学案例大致基于 B. J. Baliga 编写的 "Fundamentals of Power Semiconductor Devices" 一书（2008 年版，第 256 页），模拟了带电感负载的简单 PIN ... 扩展阅读
本教程分析 InAs 纳米线 FET 的电导-栅极-电压 (G-Vg) 曲线的滞回现象，使用密度梯度理论将量子限域效应添加到传统的漂移-扩散公式中，不会大幅增加计算成本。这种滞后现象是由连续能量分布 ... 扩展阅读
离子敏场效应晶体管 (ISFET) 是用适当的电解质取代 MOSFET 的栅极触点构建的。电解质中特定离子种类的浓度可以通过测量由离子与栅极电介质之间的相互作用引起的栅压变化来确定。 此 ISFET pH ... 扩展阅读
这个教学案例求解由简谐势阱束缚的旋转玻色-爱因斯坦凝聚体中涡格形成的 Gross–Pitaevskii 方程，这本质上是一个非线性单粒子薛定谔方程，粒子间的相互作用通过与局部粒子密度成比例的势能贡献表示 ... 扩展阅读
“超晶格带隙工具”模型有助于设计由两种交替半导体材料（超晶格）构成的周期性结构。此模型采用有效质量薛定谔方程来估计给定超晶格结构中的电子和空穴基态能级。器件工程技术人员可以使用此模型快速计算给定周期结构的有效带隙 ... 扩展阅读
