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带标签的博客文章 半导体模块

密度梯度理论简介——半导体器件仿真

2019年 11月 27日

随着半导体技术逐渐向小型化器件发展,量子限制效应变得越来越重要。针对半导体器件的物理场仿真,密度梯度理论提供了一种有效的计算方法,将量子限制用于传统的漂移扩散公式。该系列博客分为两部分,本文为第一部分。

半导体器件中的辐射效应仿真

2019年 11月 20日

半导体中的辐射效应是一个复杂的物理现象,广泛存在于许多技术领域并产生影响,例如电子工业、医学成像、核工程以及航空航天和军事应用。基于早期的论文研究(参考文献1),本文通过一个 COMSOL 案例教程,介绍了如何在 COMSOL® 软件中研究 p-i-n 二极管(又称 PIN 二极管)对电离辐射的电子响应。

动力学集体模型中的流体动力学热输运

2019年 2月 28日

巴塞罗那自治大学(Universitat Autònoma de Barcelona, UAB)的F. Xavier Alvarez讨论了借助COMSOL Multiphysics® 在纳米尺度上模拟传热,从而更好地理解传热过程。

模拟渐变异质结中的隧穿电流

2018年 10月 29日

对半导体设计感兴趣吗?了解量子隧穿效应背后的理论,并通过演示学习如何模拟渐变异质结中的量子隧穿电流。

纳米线基准模型的自洽薛定谔-泊松结果

2018年 10月 18日

使用砷化镓纳米线的基准模型验证了“薛定谔-泊松方程”多物理场接口,此接口适用于模拟包含载流子的量子约束系统。

使用半导体模块模拟 MOS 电容器

2018年 6月 20日

MOS 电容(MOSCAP)主要由三个部分构成:半导体主体或衬底、绝缘膜和金属电极(或栅极)。您可以使用“半导体模块”来模拟 MOS 电容设计。

如何对半导体器件执行三维仿真分析

2015年 1月 26日

在改进半导体器件研发流程和制造技术的过程中,仿真具有巨大的应用潜力。通过仿真分析可以减少设计过程中所需的试验和制造次数。由于必须解决器件的长度尺度问题,以及半导体物理现象的非线性特性,对三维半导体器件进行建模具有一定的挑战性,往往需要进行计算量非常大的仿真工作。


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