模拟渐变异质结中的隧穿电流

Chien Liu 2018年 10月 29日

当电荷载流子的能垒厚度等于或小于衰减长度时,量子隧穿效应将发挥重要作用。为了解释这一效应,我们可以使用 COMSOL® 软件 5.4 版本的“半导体模块”提供的 WKB 隧穿模型 功能来模拟异质结和肖特基接触边界条件。在下文中,我们将通过基准模型演示其用法。

了解更多

博客分类

Chien Liu 2018年 10月 18日

薛定谔-泊松方程 多物理场接口可用于模拟包含诸如量子阱、量子线和量子点等载流子的量子约束系统。在本文中,我们将以砷化镓纳米线的基准模型为例,演示如何使用 COMSOL Multiphysics® 软件附加的“半导体模块”提供的这项功能。

了解更多

博客分类

Caty Fairclough 2018年 6月 20日

硅平面器件、成像传感器和微处理器内通常都包含了金属-氧化物-硅(MOS)电容器。为了保证这些器件正常运行,工程师可以使用仿真准确分析电容器设计。COMSOL Multiphysics® 软件附加的“半导体模块”为用户提供了多种分析优化方法……

了解更多


博客分类


博客标签