半导体器件 博客文章
密度梯度理论简介——半导体器件仿真
2019年 11月 27日
密度梯度理论是一种有效的计算方法，将量子约束包含在模拟半导体器件的漂移扩散公式中。
半导体器件中的辐射效应仿真
2019年 11月 20日
半导体中的辐射效应是一个复杂的物理现象，广泛存在于许多技术领域并产生影响，例如电子工业、医学成像、核工程以及航空航天和军事应用。基于早期的论文研究（参考文献1），本文通过一个 COMSOL 案例教程，介绍了如何在 COMSOL® 软件中研究 p-i-n 二极管（又称 PIN 二极管）对电离辐射的电子响应。
动力学集体模型中的流体动力学热输运
2019年 2月 28日
巴塞罗那自治大学（Universitat Autònoma de Barcelona， UAB）的F. Xavier Alvarez讨论了借助COMSOL Multiphysics® 在纳米尺度上模拟传热，从而更好地理解传热过程。
如何模拟半导体器件中的载流子动力学
2018年 12月 27日
通过 2 个示例了解如何模拟半导体器件中的载流子动力学：反向恢复和正向恢复 PIN 整流器模型。
如何模拟金属-硅-氧化物电容器的界面陷阱效应
2018年 12月 18日
想要分析 MOSCAP 中的界面捕获效果吗?了解如何使用半导体模块中的功能，使您能够向模型添加充电和载波捕获/释放效果。
模拟渐变异质结中的隧穿电流
2018年 10月 29日
对半导体设计感兴趣吗？了解量子隧穿效应背后的理论，并通过演示学习如何模拟渐变异质结中的量子隧穿电流。
纳米线基准模型的自洽薛定谔-泊松结果
2018年 10月 18日
使用砷化镓纳米线的基准模型验证了“薛定谔-泊松方程”多物理场接口，此接口适用于模拟包含载流子的量子约束系统。
使用半导体基准模型评估肖特基二极管
2018年 9月 10日
在设计肖特基二极管时，重要的是要考虑电流密度和电压。 半导体仿真软件可用于此类分析，如下所示。