半导体器件 博客文章
在 COMSOL 中可以使用哪个模块进行电磁学模拟？
2020年 7月 28日
很多人经常会有这样的疑问：“我应该使用哪种 COMSOL 产品来模拟特定的电磁设备或应用？”除了 COMSOL Multiphysics® 软件基本模块的功能之外， COMSOL 产品树的“电磁模块”分支中目前还有 6 个模块。另外 6 个模块分布在其余产品分支中。
基于密度-梯度理论建立的三种半导体器件模型
2019年 12月 2日
你可以用密度梯度理论来模拟半导体器件。这里有三个例子：硅反转层、硅纳米线 MOSFET 和 InSb p 沟道 FET。
密度梯度理论简介——半导体器件仿真
2019年 11月 27日
密度梯度理论是一种有效的计算方法，将量子约束包含在模拟半导体器件的漂移扩散公式中。
半导体器件中的辐射效应仿真
2019年 11月 20日
半导体中的辐射效应是一个复杂的物理现象，广泛存在于许多技术领域并产生影响，例如电子工业、医学成像、核工程以及航空航天和军事应用。基于早期的论文研究（参考文献1），本文通过一个 COMSOL 案例教程，介绍了如何在 COMSOL® 软件中研究 p-i-n 二极管（又称 PIN 二极管）对电离辐射的电子响应。
动能集合模型中的载流子热输运项
2019年 2月 28日
巴塞罗那自治大学（Universitat Autònoma de Barcelona， UAB）的F. Xavier Alvarez讨论了借助COMSOL Multiphysics® 在纳米尺度上模拟传热，从而更好地理解传热过程。
如何模拟半导体器件中的载流子动力学
2018年 12月 27日
通过 2 个示例了解如何模拟半导体器件中的载流子动力学：反向恢复和正向恢复 PIN 整流器模型。
如何模拟金属-硅-氧化物电容器的界面陷阱效应
2018年 12月 18日
想要分析 MOSCAP 中的界面捕获效果吗?了解如何使用半导体模块中的功能，使您能够向模型添加充电和载波捕获/释放效果。
模拟渐变异质结中的隧穿电流
2018年 10月 29日
对半导体设计感兴趣吗？了解量子隧穿效应背后的理论，并通过演示学习如何模拟渐变异质结中的量子隧穿电流。